SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式设计中的作用

发生软错误的几率增大：随着工艺技术从130nm缩小到22nm，软错误率预计将增长七倍。

产量降低：由于晶体管容量增大，加上位单元不断缩小，SRAM的面积更容易受工艺变化所造成的瑕疵的影响。这种瑕疵会降低处理器芯片的总产量。

功耗增加：如果SRAM位单元必须与逻辑位单元的大小相同，那么SRAM晶体管的尺寸就需要缩小到小于逻辑晶体管。而晶体管尺寸的缩小会导致漏电流增大，最终导致待机功耗增大。

有两种途径可以解决这个问题。一种方法是为处理器中或片上系统中的SRAM面积和逻辑面积采用不同的工艺技术节点。但这样做的后果则是处理器的大部分面积由SRAM构成。如果是这样，缩小处理器芯片的理由就无法成立。另一种方法则是把SRAM与处理器或控制器分开。有一些技术创新实际上正在加快这种替代方案的实现。

可穿戴电子产品中的SRAM

当今世界的微控制器(MCU)已经广泛应用于各种设备中。我们现今正在经历一个重大电子产品发展趋势，那就是可穿戴电子产品(图1)。对于智能手表和健康腕带这样的可穿戴产品来说，尺寸和功耗是关键因素。由于电路板尺寸受限，MCU必须精简小巧，并且能够借助便携式电池提供的微弱电力运行。

图1：可穿戴电子产品的要求正在推动SRAM的复兴

在上述要求下，片上高速缓存的容量相当有限。在将来的几代产品中，我们预计会看到可穿戴产品的功能将得到进一步丰富。这样一来，片上高速缓存的容量将不敷使用，从而带来对外部高速缓存的需求。在所有可用的存储器中，SRAM是用作外部高速缓存的最佳选择。因为它与DRAM相比待机电流消耗较低，而且其存取时间也比DRAM和闪存更短。

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