SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式设计中的作用

到目前位置，典型SRAM应用接受这种权衡：电池供电应用使用低功耗SRAM(降低性能)，有线工业高性能应用则使用快速SRAM。不过，对于物联网及其它众多高级应用来说，这种权衡不再适用。主要原因是对于大部分这些应用而言，不仅高性能很重要，同时还必须限制待机功耗，因为这些应用大多采用电池供电工作。非常幸运的是，SRAM正在缩小这两个系列之间的性能差距，正逐渐发展成具有这两种优势的单芯片产品。

微控制器很久以前就有了深度睡眠工作模式。这种工作模式有助于为大部分时间都处于待机状态下的应用省电。该控制器可在正常工作中全速运行，但事后则进入低功耗模式，以便节省电源。使所连接的SRAM也具有类似的工作模式很重要。具有深度睡眠工作模式[5]的异步快速SRAM是这类应用的理想选择。这种 SRAM芯片有一个附加输入引脚，有助于用户在不同的工作模式(正常、待机和深度睡眠)间切换。因此可在不影响性能的情况下管理低功耗。 http://www.cypress.com/?docID=48906。

片上纠错功能

存储器工艺技术的提高可改进性能与功耗，因此更低的电压和更小的节点电容会让这些器件更容易出现软错误。如今，CMOS 工艺已经缩小了尺寸，地外辐射和芯片封装都会导致越来越多的故障。一般使用纠错码(ECC)软件或冗余(即多个SRAM存储相同的数据)方式应对软错误，特别是在可靠性一直都极为重要的系统中，例如医疗、汽车和军事系统。然而，这种方式非常昂贵，需要额外的电路板空间。

主要SRAM制造商现已开始直接在芯片上实施纠错特性[6]。要在现代芯片级半导体存储器上限制软错误影响，可使用两种架构增强方法：片上ECC和位交错。通过片上ECC，便可将用于实施错误检测和单个位错误校正的软件硬编码在SRAM中。有些制造商甚至还提供一个额外的错误引脚选项，用以指出单个位错误的检测与校正情况。

步进电机及其驱动电路原理图 步进电机是工业控制及仪表中最常用的控制元件之一，它有输入脉冲与电机轴转成比例的特征，在智能机器人、软盘驱动器、数据机床中广泛运用，微电脑控制步进电机最适宜系统中设计使用20BY-0型号步进电机，它实

[电源技术资料]5V降压转3.3V，5V转3V电路图芯片5V降压转3.3V和3V都是低压，两个之间的压差效率，所以效率和工作温度这块都会比较优秀，输入和输出的最低压差外是越小越好。 1， 如果电流比较小，可以用LDO：PW6566 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。 由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低。     5V降压转3.3V或者3V，可以输出1A以下，1A，2A,3A，5V降压3.3vV可以输出1A以下，1A，2A,3A的降压芯片，不同输出电流，芯片内置的整流MOS管也是不一，在成本上也是有

USB充电器充电有声音 现在手头上设计的一款usb充电器是5v 2.4a 用ee16骨架设计的，但是当充电电流调到1A--1.2A时就会有吱吱的声音，我调过LC放电电路的电容，现象没有变化，请各位达人指点一下。谢谢

 6/8   首页 上一页 4 5 6 7 8 下一页 尾页