SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式设计中的作用

另一方便，位交错可用来限制多位错误的影响(即单个能量粒子翻转多个位)。位交错的工作方式是将相邻的位线安排至不同的字寄存器。这样可将多位错误转换为多个单个位错误，随后可通过片上ECC进行校正(进一步了解如何减少和校正软错误)。

SRAM与未来

SRAM技术将迎来激动人心的全新时代。技术趋势与发展都有利于该技术回暖，扭转多年来使用量下降的颓势。支持ECC功能的芯片现已投入量产。支持片上电源管理的快速SRAM也已上市。此外，串行SRAM也已投入量产，但大多数都支持低容量应用，因此目前在速度上还无法与并行方案相匹敌。不过，串行市场的现有厂商(Microchip和On-semi)恰好主要都是MCU制造商。传统SRAM公司尚未推出串行SRAM。随着更多公司进入该市场，我们将有望看到创新技术的快速出现。

关于产品生命周期的传统市场观点是：产品成熟期过后就是衰退，然后是消亡。从SRAM每年的负复合增长率以及大多数供应商退出该市场的事实来看，该产品应划为“衰退”期。然而不管是今天我们目睹的SRAM复兴，还是针对未来预测的，都需要我们重新审视普通产品生命周期的传统理念。

参考资料

1. 维基百科：半导体器件制造

2.《22nm工艺对SRAM内中子引起的软错误的影响》作者：EishiIbe、Hitoshi Taniguchi、Yasuo Yahagi、Ken-ichi、Shimbo和Tadanobu Toba

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3.《漏电流：摩尔定律遇到静态功耗》，摘自《IEEE 计算机》2009年1月刊

4. 应用手册AN69601《赛普拉斯晶圆级芯片级封装指南》

5. 应用手册AN89371《赛普拉斯异步PowerSnooze SRAM帮助节省电源》

6. 应用手册AN88889《用赛普拉斯异步SRAM减少单事件翻转》

Reuben George在赛普拉斯半导体公司的存储器产品部从事产品市场营销工作。他在印度拉贾斯坦邦皮拉尼的贝拉理工学院 (BITS)获得电气电子工程学士学位。

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