传统过孔数显著增加 条状过孔成大势所趋

　　摘要：对于28纳米及以下节点，选择和放置多种过孔类型的复杂要求对LEF/技术文件的绕线构成了挑战，导致设计规则检查 （DRC） 错误增多（需要耗费时间来调试和改正），最终影响了良率和性能。

　　对于28纳米及以下节点，各种新的设计要求使我们不得不调整传统的数字电路板图设计和验证流程。尤其值得一提的是，过孔的使用受到了很大的影响。新的过孔类型已推出，双重成像（double patterning）、FinFETS 和其它新的设计技巧的加入不仅使过孔的使用显著增多，同时还导致用于定义版图中过孔类型的选择和放置方式的设计规则的数量和复杂度的增加。先进节点工艺中的布局和布线 （P&R） 问题正变得越来越有挑战性，我们目前的芯片布局和验证方法开始跟不上需求了。

　　过孔故障一直是影响良率的重大因素。过孔冗余（双过孔）被引入65纳米版图设计中，帮助减少制造过程的变动所引起的过孔故障。对于28纳米节点，我们添加了一种矩形过孔（有时也称条状过孔）。以矩形过孔而非双过孔代替单过孔可以预防过孔故障，同时减少过孔总数。图1显示了三个过孔类型。

　　图1：过孔连接类型不断增多

　　减少过孔数量很重要，因为28纳米及以下节点设计所需的传统过孔数量显著增加，究其原因主要有两点：第一，28纳米及以下节点的金属层明显增多，因而需要更多的连接；第二，这些设计节点出现了新的设计要求。例如，由于必须分解几何图形，双重成像层可能会增加所需的过孔数量，而电子迁移限制使得电源/接地线需要更多不同类型的过孔。

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