反激DCM模式RCD参数计算

这里首先提供几篇应用手记上的计算方法，然后对其进行改进对比，然后在仿真中对比实际结果。

首先我们将关心的因素缩小，把主要考虑的元素分为Mos管的等效输出电容Coss，变压器励磁电感Lm，变压器的初级漏感Lkp作为考虑对象。

如图所示，如果不加RCD钳位，电路在DCM模式下，电路可能发生两次振荡，第一次主要是初级漏感Lkp和Coss的电容引起的，第二次主要是在电路能量耗尽后，励磁电感和Coss电容振荡引起的这里需要补充一下，在仿真的时候，已经观察到了这个明显的现象了。

下面开始我们的计算：

计算过程，把Flyback的计算过程带入其中：

找了好些文档都是这么计算的，不过我发现几个问题 1.消耗的能量不仅仅是漏感的，也包括励磁电感的能量 2.在钳位过程中，电压是变化的，并不存在彻底钳位在V.c_mx的情况发生 因此我们需要修改模型

本人小白，想做一个升压电路，DC24V升至DC1500V，求高本人小白一枚，但是毕业课题老师给安排了个除颤仪设计的什么鬼，粗略调研了下，除颤仪需要个升压充电电路（一般为24V升至1500V左右）和放电电路，实现对一个或几个高压储能电容的快速充

基于PIC单片机的无线实时监控防盗系统的设计与
一．正文



前言



这款产品的制作历经了三个多月，这三个多月以来，我们组除了上课时间外，都埋头于实验室，就连过年我们小组也都没能在家多呆几天，马不停蹄的就赶到了

基于单片机的便携防盗密码输入器方案设计
一、项目概述


1.1 引言


在信息化的今天，很多情况下都需要输入密码。由于输入方式和装置采用按键的限制，密码输入方式变为开放式，对密码的安全性构成威胁。此领域