聚酞亚胺蚀刻成孔工艺

聚酞亚胺传统的孔加工方法是通过机械或激光的冲、钻等工艺实现的，而采用化学蚀刻工艺在聚酚亚胺基材上实现孔的加工是一种新兴的挠性基板工艺技术。该工艺主要采用碱性溶液侵蚀酞亚胺键，引起其水解反应，进而促使酞亚胺环开裂，开裂的低分子化合物可溶解在溶液中，最终完成聚酞亚胺的定向蚀刻，形成所需的孔[[4]。主要工艺流程如下:首先采用图形转移工艺，除去设计孔位铜箔，形成孔位开窗;接着采用专用聚酞亚胺蚀刻液进行基材蚀刻:最后对化学蚀刻形成的通孔进行孔金属化。

蚀刻成孔工艺与传统工艺相比，可以对所有孔位一次性加工，其加工时间和成本不再取决于孔数;PI膜厚25}m时，其最小加上孔径可达35}m>微孔能力相当于YAG激光，由于所有孔位通过光成像工艺一次成型，可以提升孔位精度，适应挠性基板高密化的要求;另外，在聚酞亚胺基体局部蚀刻，获得空气置换的聚酞亚胺空间可有效减小电路之间的电容，从而减轻RC延迟、串扰和共振频率下降问题，更好的满足高速信号传输的要求。

2.3半加成工艺

采用减成法制作线路已经逐渐不能满足小型化、高性能封装器件所需高密度挠性基板的加工需求，半加成工艺已经越来越多的应用到高密挠性基板的制作过程中。传统挠性基板的线路形成采用减成法，其主要特点是各向同性，即在铜箔垂直方向上蚀刻的同时，也对光致抗蚀剂下方的铜箔蚀刻，也就是我们常说的“侧蚀”，这很大程度上限制了线路的微细化。目前业界盛行的基材铜箔减薄，可在一定程度上减少侧蚀量大小，从而提升减成法制作精细线路的能力，但同时由于整体铜厚的减少，线路截面积也相应变小，一定程度上又增加了线路的直流电阻，这对于高速讯号的传递是不利的。

与减成法相反，半加成法是在光致抗蚀剂的开口部位电镀形成导电图形，线宽基本决定于光致抗蚀剂的开口宽度，采用高分辨率的光致抗镀干膜，即可同时满足高密化及高速化的要求。

半加成工艺主要工艺流程可概括为:(1>在聚酞亚胺基材__仁通过溅射金属种子层，形成导电层;(2)通过影像转移工艺在种子层土形成抗镀千膜图形;<3)进行图形电镀工艺，加厚导体线路铜厚;(4)采用差分蚀刻工艺，实现线路层的制作。第一步种了层的形成是半加成法工艺的的关键，如何确保种子层的厚度一致性以及与聚酞亚胺基材、感光干膜的结合力，需要通过不断的工艺试验及优化，才能探索出合适的工艺参数。

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去耦的作用，这个电容起到组织从这个电路交换或反馈到另一电路，防止发生不可预测的反馈、影响下一级的正常工作比较有意思的问题。
不过今天没有时间，明