[问答] 反激电路mos管烧坏问题

先谢谢了如上图所示，我想利用反激电路给电容充电，采用标准单端反激结构，充电电容12mf，输入电压15.8v,变压器变比1：16，一次侧漏感260nh，线圈阻抗（dcr测得）5.9毫欧，二次侧漏感205.5uh，阻抗4.11欧，励磁电感4.75uh，电路采用的是300A的mos管(IRLS3036),电源供电15.8v，最大支持240A的输出电流，吸收电路采用的是1410uf的电解电容，并联45欧的电阻串联二极管构成的RCD吸收电路，测试波形如上图所示，电容两端的电压充电至50V左右时，电源输出的电流会突增，mos管已被击穿，想不明白mos管击穿的原因，不知道这个电流是因为mos坏了才变大的还是因为mos出现直通没有关断而有大电流再把mos烧坏的？另外这个大电流的出现是不是因为吸收电路的电容不够大的原因？或者是因为吸收电路采用的是极性电解电容的原因？电路结构如图：是不是应该在输出加个假负载；不懂，等大虾解惑限流措施要有。

吸收电路能吸收掉电压即可，其R不必小 ，C不必大。

1，测试的波形要展示最后损坏之前的电压、电流波形  目前的波形没有展开看；2，mos的散热是怎么做的？3，吸收电路合不合理需要综合考量，一班情况下，吸收电容变大，放电电阻的功率需求就高    吸收电容=1410uf的电解电容？？？

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本人小白，想做一个升压电路，DC24V升至DC1500V，求高本人小白一枚，但是毕业课题老师给安排了个除颤仪设计的什么鬼，粗略调研了下，除颤仪需要个升压充电电路（一般为24V升至1500V左右）和放电电路，实现对一个或几个高压储能电容的快速充