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[问答] 反激电路mos管烧坏问题

来源:    作者:    发布时间:2022-06-01 09:06:02    浏览量:

先谢谢了如上图所示,我想利用反激电路给电容充电,采用标准单端反激结构,充电电容12mf,输入电压15.8v,变压器变比1:16,一次侧漏感260nh,线圈阻抗(dcr测得)5.9毫欧,二次侧漏感205.5uh,阻抗4.11欧,励磁电感4.75uh,电路采用的是300A的mos管(IRLS3036),电源供电15.8v,最大支持240A的输出电流,吸收电路采用的是1410uf的电解电容,并联45欧的电阻串联二极管构成的RCD吸收电路,测试波形如上图所示,电容两端的电压充电至50V左右时,电源输出的电流会突增,mos管已被击穿,想不明白mos管击穿的原因,不知道这个电流是因为mos坏了才变大的还是因为mos出现直通没有关断而有大电流再把mos烧坏的?另外这个大电流的出现是不是因为吸收电路的电容不够大的原因?或者是因为吸收电路采用的是极性电解电容的原因?电路结构如图:是不是应该在输出加个假负载;不懂,等大虾解惑限流措施要有。

吸收电路能吸收掉电压即可,其R不必小 ,C不必大。

1,测试的波形要展示最后损坏之前的电压、电流波形  目前的波形没有展开看;2,mos的散热是怎么做的?3,吸收电路合不合理需要综合考量,一班情况下,吸收电容变大,放电电阻的功率需求就高    吸收电容=1410uf的电解电容???

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