可管理NAND：适用于移动设备的嵌入式大容量存储
来源： 作者： 发布时间：2016-09-23 09:00:53 浏览量：
与多年前相比，现在的移动消费电子装置结构复杂，功能丰富，能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是，存储系统的体系结构能够适应这些新的数据密集型应用。例如，适用于大容量存储的高性价比紧凑型NAND闪存就替代了手机、MP3播放器和数码相机中使用的NOR闪存和其它非易失性存储装置。
随着工艺技术的进步，存储器密度大约每12至18个月即提高一倍。对于NAND闪存而言，这意味着对多层单元（MLC）技术的重视程度日益提高。传统的单层单元（SLC） NAND闪存每个存储单位能够存储一个数据位。MLC技术能够实现在单个存储单元中存放多个数据位，数据的存储容量达到相同大小NAND闪存设备的两倍。MLC NAND进一步加快了NAND闪存的每字节成本，并为新的应用提供了发展空间。市场趋势显示MLC闪存的出货量在2007年初超过了SLC闪存。
MLC NAND的采用，NAND产品周期的缩短让系统设计人员的工作越来越复杂。传统的SLC NAND闪存，每512字节只需要一位错误校验码，大多数新型嵌入式处理器都可以直接为其提供支持。而现在的MLC闪存设备却不同，需要每512字节扇区4位校验码，将来的MLC NAND对ECC的要求将超过每512字节扇区8位校验。高级ECC算法的实现和硬件加速电路对嵌入式处理器和主机系统在设计方面构成了很大的挑战。
系统设计人员还必须能够应对NAND闪存的快速更新换代，以及不同供应商之间产品功能差别带来的挑战。系统设计人员和处理器制造商为跟上NAND闪存制造商的步伐必须在硬件和软件开发方面进行更多资源投入。更为重要的是，额外的开发工作可能会对上市时间产生较大影响。
Micron可管理NAND
正确的解决办法是：采用Micron的创新式可管理NAND产品。可管理NAND闪存将Micron的高质量低成本NAND闪烁存储器与半高型高速MultiMediaCard. （MMC）控制器结合在一起，并采用了符合JEDEC标准的BGA封装和高级10信号接口。
随着工艺技术的进步，存储器密度大约每12至18个月即提高一倍。对于NAND闪存而言，这意味着对多层单元（MLC）技术的重视程度日益提高。传统的单层单元（SLC） NAND闪存每个存储单位能够存储一个数据位。MLC技术能够实现在单个存储单元中存放多个数据位，数据的存储容量达到相同大小NAND闪存设备的两倍。MLC NAND进一步加快了NAND闪存的每字节成本，并为新的应用提供了发展空间。市场趋势显示MLC闪存的出货量在2007年初超过了SLC闪存。
MLC NAND的采用，NAND产品周期的缩短让系统设计人员的工作越来越复杂。传统的SLC NAND闪存，每512字节只需要一位错误校验码，大多数新型嵌入式处理器都可以直接为其提供支持。而现在的MLC闪存设备却不同，需要每512字节扇区4位校验码，将来的MLC NAND对ECC的要求将超过每512字节扇区8位校验。高级ECC算法的实现和硬件加速电路对嵌入式处理器和主机系统在设计方面构成了很大的挑战。
系统设计人员还必须能够应对NAND闪存的快速更新换代，以及不同供应商之间产品功能差别带来的挑战。系统设计人员和处理器制造商为跟上NAND闪存制造商的步伐必须在硬件和软件开发方面进行更多资源投入。更为重要的是，额外的开发工作可能会对上市时间产生较大影响。
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正确的解决办法是：采用Micron的创新式可管理NAND产品。可管理NAND闪存将Micron的高质量低成本NAND闪烁存储器与半高型高速MultiMediaCard. （MMC）控制器结合在一起，并采用了符合JEDEC标准的BGA封装和高级10信号接口。
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