RCD吸收电路的影响和设计方法（定性分析）

上篇博文主要分析未进行保护的反激电源开关过程分析，这回主要介绍RCD电路的影响。

先分析过程：

对应电路模型：

我们可以定性的分析一下电路参数的选择对电路的暂态响应的影响： 1.RCD电容C偏大 电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上 。

波形分析为：

2.RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压） 电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。

3.RCD电阻电容乘积R×C偏小 电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路一样。

4.RCD电阻电容乘积R×C合理，C偏小 如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大

5.RCD电阻电容乘积R×C合理，R，C都合适 在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。

以上均为定性分析，实际计算还是单独探讨后整理，需要做仿真验证。

明天把上面两篇博文做一些仿真的分析，如果与上面的分析一致，则开始准备整理计算方法。

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