求助达人:MOSFET居然栅漏极击穿??

昨天做推挽电路实验,MOSFET控制信号由DSP发出,未加隔离.在负载端加上电容后,MOSFET发出微响声.之后发现MOSFET栅漏极已经短路,漏源极之间完好,DSP芯片被损.
实验输入电压只有36V,奇怪的是为何MOSFET栅漏极为何被击穿?而漏源极完好?栅极不是有绝缘层的吗?各位有没有遇到过栅漏被击穿的情况?困惑..困惑...求助各位达人,小妹在此先谢过了 你Vgs的耐压是多少? 就只实验了一次吗??????? 连DSP都坏了,Vgs上的电压肯定超过了. 显然D有严重过压,栅内阻又高,给干掉了． xkw1老师能说的详细点吗?如果,D端电压过高,那么漏源极也肯定打死啊;为何仅仅栅漏打死而漏源完好呢?还有,栅漏打死后,是怎么烧坏IC的?困惑!
请帮忙解答下!谢谢! MOSFET是由很多个小管子并联组成的,我们把每个小MOSFET叫做胞.每个胞的栅都要通过多晶硅连到输出引线上.每个胞的栅到引线的距离不一样,电阻也就不同了,距离近的几乎为零,远的有几十欧,我们称为栅寄生电阻.
如果MOSFET关的很快的话,远处胞的栅上感应的密勒电流会很大;栅寄生电阻上产生的电压会很高,有可能干掉胞的栅源的绝缘,导致栅源短路.当然;这电压同样也有可能击穿栅漏绝缘.
栅漏击穿后,漏极的高压大电流会灌入驱动器,导致驱动电路损坏. 大侠真厉害!MOSFET工艺也熟!

跟风学习！

请问如果 是GS脚击穿，其他脚微击穿！ IC CS电阻也烧了！请教这样 是什么问题引致的？！ 我的PMOS管的栅极和漏极发生了短路情况，栅源却没有短路，VGS耐压20V，漏源两端还没有加电源和负载，仅仅是加了栅极电压，很奇怪。和你的情况类似，你后来找到原因了么？

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摘要


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