赛灵思专家：薄化制程良率升级，2.5D硅中介层晶圆成本下降

　　首先，这样大尺寸且很薄的硅中介层晶粒，它的弓形度（Bow）及挠曲度（Warp）就是一个很大的问题，不仅在晶粒处理时有难度，且对准和热压接合 （Thermo-compression Bonding）也会相当困难。此外，后续的晶粒接合过程亦非常缓慢，因此也会产生昂贵的成本。一种较为明智的作法是用晶粒-晶圆级（C2W）整合的方式进行晶粒堆叠，这可加速制程周期；另一方面也可在芯片堆叠（如产生均温板或散热片）后进行晶圆级制程。

　　基于尺寸大小和成本因素的考虑，硅中介层晶圆的厚度要非常薄。目前，一般的厚度是100微米（μm），已可符合大小的考虑。然而，硅穿孔（TSV）制程是一种可降低成本的主要作法；制作一个10微米×50微米TSV的成本会比制作一个10微米×100微米TSV低很多。

　　晶圆薄化可透过将硅中介层晶圆临时接合到载具晶圆上，然后针对晶圆背面减薄则可完成。载具晶圆会有机械性支持的作用，避免晶圆发生断裂现象，且会补偿硅中介层晶圆内所需的应力。

　　减少晶圆的厚度是一种可降低硅中介层成本的方法，但在剥离制程（Debonding）后，厚度较薄的晶粒则在机械性稳定度、应力和硅中介层晶粒的弓形度/ 挠曲度的处理上都有可能出现新的挑战。其中，可以解决这些难题的方法是在薄薄的硅中介层晶圆，仍在载具晶圆上时即进行晶粒-晶圆级接合。随后，其他步骤则可进行晶圆级制程。

　　量产薄化晶圆　良率管理举足轻重

　　良率管理是处理薄化晶圆时的关键因素。薄化晶圆的厚度不一致是非常严重的问题。若薄化晶圆在薄化制程后出现裂痕，或晶圆中心到边缘有不均匀的情况，会导致在硅穿孔露出制程中，因须弥补晶圆上的裂痕而要付出昂贵的成本；或者更严重的甚至要将晶圆作废，因为晶圆背面的研磨无法重做。

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