对IGBT驱动的理解
来源： 作者： 发布时间：2015-12-21 06:47:55 浏览量：有人说，快速关闭使dv/dt高，会毁坏IGBT。那看什么条件，只有很高dv/dt ，IGBT开关速度跟不上时成立。小了只是负反馈作用，增加驱动上流过的电流而已。由于IGBT、母线上往往有吸收，速度受限。不易产生高dv/dt。真有这么高的dv/dt时，只要驱动电路输出阻抗足够低，并不会毁坏栅极。
再有，笔者十几年从没有见过由于dv/dt过高造成IGBT失效现象，此种只在理论上成立的假设不要再考虑了。
真实原因是：由于IGBT是少子器件，他不能通过关闭门极来达到快速关闭IGBT目的。因此快速关闭对它无用。
三． 说一说驱动负偏压只要控制制好母线电压瞬态过冲，IGBT负偏压不是必须。选择合理的功率拓扑，比如零流谐振变换器，可以最大限度降低对母线影响。
与MOSFET一样，负偏压可以防止母线过高dv/dt造成门极误导通。笔者说过本人十几年从没有见过由于dv/dt过高造成IGBT失效，主要是指对门极影响。
门极驱动往往是低阻抗负载，尤其是有源驱动器，阻抗很低，抗干扰能力很强。负偏压选择-5V足以，当然选择-15V未尝不可。更高负偏压会增加驱动损耗。
四． 再论过流保护1. 高频变换（不直接接负载）
在设计电路过程中，在IGBT选择上，几乎都会在电流上留有余量，而保护点也往往低于IGBT的额定值。所谓3段式保护只在大于2倍额定电流作用较好。在2倍额定电流保护内最好是直接关闭。不仅反映速度快，而且可以逐个脉冲限流。真要是用它的保护，不仅延时时间长，而且由于关闭损耗大，连续工作要不了多久不坏才怪。
市面上几乎所有的IGBT驱动器都大肆宣扬所谓3段式保护，可惜在实际应用中，除非你是作为负载开关使用，此功能基本无用。即便是作为负载开关，如果没有一定条件限制，保护功能也形同虚设。
电压控制滞留电路当运放器改变状态，比较器触发点和滞留的精确独立的控制可以通过用Q1和Q将开关滞留控制信号eh到比较器输入来实现。电路避免了滞留反馈错误，同时实现内在0.01%的比较器精确跳变点。控制器et决定第一个跳
[电源技术资料]如何进行电源系统环路响应测试？#技术资源# 频率响应分析仪Bode 100 是执行从1 Hz到50 MHz的准确度，快速频率扫描测量的专业解决方案，这对于电源设计和稳定的环路操作至关重要。 BODE100环路分析仪的主要功能是量测待测物在频域上的特性，了解其性能及稳定性，并可辅助控制线路的设计。 因为设计时没有正确评估系统的稳定性。 但这种特性无法直接由电流拉载的时域测试来得到，必须经由Bode100频率响应分析仪的使用，才能得到系统的频率响应图，来判读出稳定度的特性。 而这种频
高精度大电流稳压电源电路图标签：电路图(5328)稳压电源(204)三端稳压器LM338(1) 该电路采用额定输出电流为5A的三端稳压器LM338做成大电流可调稳压电源。其特点是：(1)输出电流大。额定电流为5A，最大允许峰值
大电流电感
在线客服1号