500KHZ LLC方案 DC400V-12V 250W
来源： 作者： 发布时间：2017-11-13 11:46:27 浏览量：LLC电路发展到现在，大家多半用的是在200K以下的开关频率，主要受限于MOSFET。
传统的MOSFET是半导体硅做的，而硅MOSFET在高压600V的时候，工作频率不能跑高，
跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。新的材料-氮化镓MOSFET
将为我们解决这问题，这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中，INFINEON, ST, SHARP.
ROHM,IR等均有相对应的产品将问世，这一趋式无法改变。
氮化镓有如下好处，
1，可以跑高频，100K---10M开关频率（同时高频后并不会像硅MOSFET那样带来过多的热问题）
2，氮化镓材质的MOSFET体内寄生电容很小，米勒电容也很小。所以开关损耗会很小.
3，氮化镓MOSFET体内没有像硅MOSFET的寄生二极管，但电流可以从S流向D，通过自身的电子层导通，因为没有恢复损耗的问题。
所以说氮化镓的出现，解决了我们电路上的高频问题，氮化镓可以工作到最大10M HZ的频率。
且高频后不像硅MOSFET那样带来额外的热问题。
输入：400V
输出：12V 20A
500KHZ
效率》97。5%
MOSFET: TPH3002 Rds(on)=0.29欧(9A，无需散热片）
驱动IC：NCP1397
输出同步整流
体积：30mm * 90mm
total 250W
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氮化镓MOSFET LLC方案，250W无散热片 97%效率 400V-12V.pdf
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MARK
我要问一下，500千赫用什么芯片 控制的呀，3525只能使到120千赫【占空比保证0,45】，频率高的UC3825的占空比保证0,45的频率只能达到300千赫，那么，比3825使用更高频率的控制芯片是什么，我不知道了，L6599的也是不可以使用到怎么高频率的，回答我。
其实，氮化硅的价格太高了，不实用的，其实，就是新器件效率高了，又有什么用的了，就算价格降低了，优势又在哪里呢，提高效率不是我们的出发点，产能过剩，发电量过剩，我们根本不是推广节能，因为，器件对谁都公平，技术先进落后才是鸿沟，落后的技术用了先进的器件，效率高了但贵了，什么都不是了，还是技术差距才是真正最终的较量了，其实，器件公平，技术不公平，这个不公平才是竞争的优势了，公平什么也没有了，你I可以用的人家同样也可以的呀，所以，夸夸其谈没有实用价值的，还是技术先进 与落后才是真正的出发点了，否则，一切 都是 扯淡了，什么也没有讨好的，利用器件根本不是目的，目的就是技术的差距了，一切一切根本在这里了。
会不会是ONsemi MC33067这个频率可以超过1Mhz ,就是没有同步整流，可能用了同步整流芯片 先来过了！CAD捕捉两个隐藏的选项:mtp（计算中点）和track（跟踪标签：MTP(3)Track(2)CAD(175)隐藏的捕捉命令：mtp和track 通过几天的研究，发现了一些非常有用的小功能，深受鼓舞。最近又发现了两个小功能：mtp和track。mtp是用来捕捉
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