对IGBT驱动的理解

我这里只结合实际应用情况对一些问题谈谈我的理解，不对之处请指教。

IGBT器件如何开通和关闭，速度是快是慢，其实到如今为止，并没有一个明确结论，最终取决实际应用环境。

一． 先说开通。谁都知道，理论上开通速度越快，越早进入饱和去，开关损耗越小。收到实际条件所限，开通速度不能做的太快。栅极杂散电感影响

此电感普遍存在绕线电感，特别是使用磁耦合的驱动电路尤其明显。它与栅极电容产生谐振，增加Rg，可以缓解此现象。无论是Lgs，还是Rg，都会影响开通速度，增加开关损耗。图1。

实际电路影响

使用合理电路，降低Lgs影响，将Rg选择的很小，是否就解决了问题了呢？还没有，如图2，应用于双管正激的拓扑。

由于变压器漏感Lts、磁复位引线电感Lds的存在，过高的di/dt，将造成过高的Vce（与Cce产生振荡）。这些电感是很难预测的，为了提高性能，从布线上都是不断降低它们。能量的降低使得Vce收到限制。如果不能完全解决此问题，需要增加吸收。如图3吸收的一种。额外增加的电路需要靠近IGBT根部，否则有害无用。吸收的增加增加了损耗，它是否可以抵消由于开通速度的加快造成的影响，需要实际验证。

（单）双管正激是硬开关拓扑中，开通速度最快的一种，对应其它拓扑，比如桥式，情况更加糟糕。对于软开关，尤其是电压软开关，增加开通速度是很好的选择。

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