ESD保护器件在高速电路设计中的应用分析

不管选择怎样的TVS器件，它们在电路板上的布局非常重要。

TVS布局前的导线长度应该减到最小，因为快速(0.7ns)ESD脉冲可能产生导致TVS保护能力下降的额外电压。

另外，快速ESD脉冲可能在电路板上相邻(平行)导线间产生感应电压。

如果上述情况发生，由于将不会得到保护，因为感应电压路径将成为另一条让浪涌到达IC的路径。

因此，被保护的输入线不应该被放置在其它单独、未受保护的走线旁边。

推荐的ESD抑制器件PCB布局方案应该是：放置在被保护的IC之前，但尽量与连接器/触点PCB侧尽量近； 放置在与信号线串联任何电阻之前； 放置在包含保险丝在内的过滤或调节器件之前； 放置在IC之前的其他可能有ESD的地方。

由于业界对在高频电路中采用ESD抑制越来越感兴趣，所以已对消费电子领域中的一些大型器件进行了研究。

对比数据表明，尽管低成本的硅二极管(甚至变阻器)的触发/箝位电压非常低，但它们的高频容量和漏电流无法满足不断增长的应用需求。

另一个重要要求是ESD抑制器对电路信号特性的影响最小。

对聚合物ESD抑制器的测量表明，频率高达6GHz时的衰减小于0.2dB，这样它们对电路几乎没有影响另外，商业化产品要求在所有不同的硬件接口位置都要有ESD浪涌保护。

例如，一些新型电脑和更高端的消费电子可能会如下这些互连器件的大部分或者全部：以太网、USB1.1/USB2.0、IEEE-1394/1394b、音频/视频/RF以及传统的RS-232、RJ-11等端口等的audio/video/RF端口。

所有传统的保护器件都已经不同程度地得以成功应用。

但是，如今不断增长的工作频率为超低电容器件(如聚合物抑制器)提出了需求。

USB 2.0 协议具有100 Mbps的快速数据转换速率。

因此，当采用具有SurgX技术的超低电容聚合物器件进行保护时，一个配备了USB 2.0功能的器件将具有最佳性能。

这将比使用齐纳二极管或多层变阻器时产生更少的数据失真。

另外，许多新型消费电子器件能执行快速的IEEE-1394/1394b(Fireware)数据转换协议。

这种非常高的数据速率(1600 Mbps，1394b)要求低电容ESD抑制器，例如聚合物浪涌器件。

测试数据表明，聚合物ESD抑制器带来的信号失真比硅二极管器件保护Firewire端口产生的更少。

桥堆总烧，导致前面的共模电感冒烟着火，电路贴上，大


有时候是上电一段时间(半个小时左右)，有时候是刚上电，共模电感就噗的一下，冒烟着火。


图中RV1是压敏电阻，L1是共模电感。




经过测量，是桥堆的1、2脚短路，内部二极管

铁氧体磁芯损耗计算 请问算磁芯损耗时，Pv LOSS 曲线取值时用的是Bmax，还是ΔB?







假如同工作频率的、Bmax相同的在工作第一象限的磁芯Pv与工作在第一三象限的磁芯Pv 是否相同？
对于3C95

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