可控硅元件的特性与分类，以及为什么容易击穿？

可控硅（Silicon Controlled Rectifier） 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。

它具有体积小、效率高、寿命长等优点。

在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。

它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

　　可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。

双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。

双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。

其通断状态由控制极G决定。

在控制极G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。

这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

　　结构　　大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。

从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

　　以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

　　在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。

它只有导通和关断两种状态。

　　可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

　　可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

　　可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。

　　可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

　　可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。

双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。

这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。

由当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压，控制极G对第一电极Tl所加的也是正向触发信号。

双向可控硅触发导通后，电流I2l的方向从T2流向T1。

由特性曲线可知，这时双向可控硅触发导通规律是按第二象限的特性进行的，又因为触发信号是正向的，所以把这种触发叫做“第一象限的正向触发”或称为I+触发方式。

qbwww 发表于 2021-3-1 20:56由当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压，控制极G对第一电极Tl所加的也是正向触发信号。

双向可控硅触发导通 ...

一般管子过压击穿后其器件端电压还是击穿电压，所以随着电流的增加，器件功耗直线上升，造成的后果都是的灾害性的。

理论上，可控硅超过耐压值，就直接发生导通现象，器件端电压直接跌到正常的导通电压，这是可控硅原理决定的，该过程完全可逆，这和其他类型晶体管所谓的击穿是完全不一样的。

当然对于可控硅来说如果过压导通后，负载电流超过器件合理范围，也是会造成可控硅不可逆的损坏。

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