求助EMI偏高的下降解决方法

一个5V3.4A的旅充，因为空间问题，想把后面的Y电容去掉，但是Y电容去掉了，EMI的传导和辐射就太高过不了。求大神，在去Y之后，需要加点什么才可以让传导辐射降下来

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手机拍的，不是很清晰，抱歉， 按无Y设计，重做变压器，控制平衡电压在3V一下 Y电容去掉了，要搞定的话，基本是按照无Y设计了，那变压器要重新设计，输入共模电感和其他EMI电路要重新设计。工作量巨大，基本等于重新设计。 刚开始把前面共模去掉了，看没什么影响后来就去Y了，之后EMI就过不了，在后面加点东西不行么？ 多整蛊整蛊变压器 后面的Y电容是指什么地方的电容 次级端。加Y的作用是为了减小信号干扰。也就是说让Y电容把干扰信号旁路。干扰信号通过Y电容，而不通LISN。我就想有什么办法在去Y的同时下加个其它的元件可以减小干扰信号。 有没有电路看看怎么改进 5M以后不达标的，只要加X电容即可

连接器的三大基本性能标签：连接器(153)连接器的三大基本性能连接器的基本性能可分为三大类：即机械性能、电气性能和环境性能。1．机械性能 就连接功能而言，插拔力是重要地机械性能。插拔力分为插入力和拔出力（拔出力亦称分离力

MOS管开通过程中米勒平台的问题--探讨MOS管漏源

图1 为N沟道mos管的结构，以N沟道MOS为例进行分析.






图2 为一个具体的电路


条件L为一个电感负载，VD0为续流二极管。






图3 为电路中信号的波形图

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