[DCDC]外置MOS大功率升压芯片 FP5139

本帖最后由 Q1077912017 于 2021-5-24 15:57 编辑 FP5139是一种用于电池驱动应用的增压拓扑开关调节器控制IC。

FP5139包括用于驱动NPN晶体管或N-MOS的图腾柱单输出级，高精度参考voltage(0.5V)来比较输出电压，用于控制最小占空比的内部占空比时间控制，具有短路保护功能的可编程软启动以及操作模式或待机模式的逻辑电平控制。

封装为：TSSOP-8（FP5139） 应用：移动电源，蓝牙音响，K 歌宝，电子烟，大功率应急电源便携式产品等 特征： 1. 输入电压 2 V~15V 2. 反馈电压 0.5V±2% 3. 最大 PWM Duty Cycle 限制：85% 4. 静态功耗关断电流：小于 1uA 5. 可调工作频率，50KHz~1MHz 6. 欠压锁存，软启动，短路保护注：最大占空比 85%，根据 mos 管选型 可实现更大功率，如 100W，200W

◎◎推挽电路saber仿真MOS管导通时存在电压,有这是12V升到220V的电路,仿真时发现在MOS管导通期间上面还有将近5V的电压,不是导通压降,观察变压器原边的一个绕组发现上面有负压,这个负压造成MOS管上的压降,请问这是怎么

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