IGBT在逆变器中的正确选择与使用

IGBT在逆变器中的正确选择与使用，有着举足轻重的作用。

逆变技术对IGBT的参数要求并不是一成不变的，逆变技术已从硬开关技术，移相软开关技术发展到双零软开关技术，各个技术之间存在相辅相成的纽带关系，同时具有各自的应用电路要求特点，因而，对开关器件的IGBT的要求各不相同。

而IGBT正确选择与使用尤为重要。

　　1、IGBT额定电压的选择　　三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值：在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。

　　2、IGBT额定电流的选择　　以30kW变频器为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，择最大负载电流约为119A ，建议选择150A电流等级的IGBT。

　　3、IGBT开关参数的选择　　变频器的开关频率一般小于10kHZ，而在实际工作的过程中，IGBT的通态损耗所占比重比较大，建议选择低通态型IGBT，以30kW ，逆变频率小于10kHz的变频器为例，选择IGBT的开关。

　　4、影响IGBT可靠性因素　　1)栅电压　　IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。

因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系，正向栅电压越高，开通损耗越小，正向压降也咯小。

　　在桥式电路和大功率应用情况下，为了避免干扰，在IGBT关断时，栅极加负电压，一般在-5- 15V，保证IGBT的关断，避免Miller效应影响。

　　2)Miller效应　　为了降低Miller效应的影响，在IGBT栅驱动电路中采用改进措施：(1)开通和关断采用不同栅电阻Rg,ON和Rg,off，确保IGBT的有效开通和关断;(2)栅源间加电容c，对Miller效应产生的电压进行能量泄放;(3)关断时加负栅压。

在实际设计中，采用三者合理组合，对改进Mille r效应的效果更佳。

　　5、结束语　　(1)IGBT是逆变器主要使用的主要功率开关器件，也是逆变器中主要工作器件，合理选择IGBT是保证IGBT可靠工作的前提，同时，要根据三相逆变电路结构的特点，选择低通态型IGBT为佳。

　　(2)根据IGBT的棚特性。

合理设计栅驱动结构， 保证IGBT有效的开通和关断， 降低Miller效应的影响

抗混叠Contourlet变换在煤矿图像重构算法中的应 摘 要： 将抗混叠的Contourlet变换应用到基于压缩感知理论的矿井图像重构算法中。仿真实验表明，在相同的观测系统下采用OMP算法对矿井图像进行重建时，相比于传统的Contourlet变换和S

LCD控制器驱动的24位TFT真彩屏接口设计在嵌入式设计中常常会使用lcd屏，现在常用的屏大部分都是高性能的。因为lcd屏的生产厂商很多，标准也不统一，lcd屏往往不能与lcd控制器无粘合连接，所以在使用lcd屏时，厂家还会推荐使用其专为lcd

负反馈放大电路负反馈放大电路