IGBT直流斩波电路实际应用注意问题

直流电路的斩波技术应用十分广泛，其在开关电源及直流电动机驱动应用领域普遍，其特点是使其控制获得加速平稳、快速响应、节约电能的效果。

全控型电力电子器件IGBT在牵引电传动电能传输与变换、有源滤波能领域得到了广泛的应用。

但以IGBT为功率器件的直流斩波电路在实际应用中需要注意以下问题：　　（1）系统损耗的问问题。

　　（2）栅极电阻问题。

　　（3）驱动电路实现过流过压保护的问题。

　　直流斩波电路实际上采用的就是PWM技术，这种电路把直流电压斩成一系列脉冲，改变脉冲的占空比来获得所需要的输出电压。

PWM控制方式是目前才用最广泛的一种控制方式，它具有良好的调整特性。

随电子技术的发展，近年来已发展各种集成式控制芯片，这种芯片只需外接少量元器件就可以工作，这不但简化设计，还大幅度的减少元器件数量、连线和焊点。

　　贴片美丽　　斩波器是一种将电压值固定的直流电，转换为另一固定电压或可调电压的装置，一般是指直流对直流的转换。

斩波电路是斩波器的核心组成部分，负责将输入电压转换成目标输出电压。

根据输入输出电压大小、极性，斩波电路可分为降压斩波电路、升压斩波电路、升降压斩波电路、Cuk斩波电路、Sepic斩波电路、Zeta斩波电路等　　分立元件斩波电路　　升压斩波工作原理　　假设L和C值很大。

V处于通态时，电源E向电感L充电，电流恒定I1，电容C向负载R供电，输出电压Uo恒定。

　　V处于断态时，电源E和电感L同时向电容C充电，并向负载提供能量。

　　首先假设电感L值很大，电容C值也很大。

当V-G为高电平时，Q1导通，12V电源向L充电，充电基本恒定为I1，同时电容C上的电压向负载R供电，因C值很大，基本保持输出电压uo为恒值，记为Uo。

设V处于通态的时间为Ton，此阶段电感L上积储的能量为EI1ton。

当V处于段态时E和L共同向电容C充电，并向负载R提供能量。

设V处于段态的时间为toff，则在此期间电感L释放的能量为（U0-E）I1Toff。

当电路工作于稳态时，一个周期T中电感L积储的能量于释放的能量相等，即　　电感L积储的能量公式　　上式中的T/toff≥1，输出电压高于电源电压。

式（1-1）中T/toff为升压比，调节其大小即可改变输出电压Uo的大小。

　　2）数量关系　　设V通态的时间为ton，此阶段L上积蓄的能量为：EmI1Ton　　设V断态的时间为toff，则此期间电感L释放能量为：（E-Em）I2Toff 稳态时，一个周期T中L积蓄能量与释放能量相等：　　蓄能量与释放能量相等T/toff》1，输出电压高于电源电压，故为升压斩波电路。

T/toff－升压比;升压比的倒数记为β，即β=toff/T。

又因为α+β=1。

所以：　　相等能量　　电压升高得原因：电感L储能使电压泵升的作用，电容C可将输出电压保持住。

　　升压斩波电路能使输出电压高于电源电压的原因　　一是L储能之后具有使电压泵升的作用 二是电容C可将输出电压保持住 以上分析中，认为V通态期间因电容C的作用使得输出电压Uo不变，但实际C值不可能无穷大，在此阶段其向负载放电，Uo必然会有所下降，故实际输出电压会略低

VGS=0，但MOS管电流IDS并没马上降为0 如题求助，最近在做一个BOOST，测量了MOS管的VGS=0时，IDS还在上升，大约200ns后才降为0，引起MOS管发热得很快。


请问这是什么原因造成的？










绿色为VGS，黄色为IDS
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大家来看看这个仙童FQD2N60C是假货吗听人家说嘉立创不卖假货，我买了好多好多FQD2N60C做东西，现在啊，我怀疑买了假货，诸君来给看看，我用福禄克测的，表是准的，Vgs加的电压是11V，这时候测量Rds是7.6欧姆，可是数据手册上给的

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