VGS=0，但MOS管电流IDS并没马上降为0

如题求助，最近在做一个BOOST，测量了MOS管的VGS=0时，IDS还在上升，大约200ns后才降为0，引起MOS管发热得很快。

请问这是什么原因造成的？

绿色为VGS，黄色为IDS

Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf这是用到的开关管，为单管IGBT

改善后的VGS波形

IGBT有电流拖尾现象，MOS会好一些。

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