智能同步整流控制IC-IR1166/7A-B介绍

　　3.3 导通阶段

　　当SR的MOSFET刚开始导通时，电流先经过其体二极管，产生一个负电压VD大功率电感贴片电感器S，体二极管压降随电流而增大，IC检测此电压，在其超过VT-H2时驱动MOSFET导通，作同步整流，在这一点IR1167驱动MOSFET导通，使VDS降下来，加入一段最小导通时间MOT(minimu电感磁珠m on time)，消隐干扰，保持MOSFET导通，因而MOT还限制了初级侧的最大占空一体电感比。

标签：IR1166/7A-B(1)同步整流(50)IC(288)

　　一旦SR的MOSFET导通，会一直保持到整流电流减下来使VDS达到阈值VTH1时进入关断，这http://www.siyinzg.com/贴片电感 和导通时工作模式相关。

　　在DCM中，电流跨过阈值有相对低的di/dt。一旦跨过阈值，电流会再次流入体二极管，又使VDS电压跳向负电平，它取决于电流总量。为防VDS又去触发MOSFET到导通，在VTH2之后加入一段消隐时间tblank，在到达VTH1后。消隐时间由IC内设置。当VDS电压变正进入VTH2时，消隐时间也由IC内设置，当VDS电压变正进入VTH3大电流电感器时，消隐时间终止。IC进入下一周期工作。DCM模式的工作波形见图4。

　　3.5 CCM关断阶段

　　在CCM模式时，关断过程要陡峭得多，di/dt免不了会更高。导通阶段对DCM及CRM是理想的，但此时不能重复。在同步整流MOSFET导通阶段，电流将线性地衰减，因此同步整流MOSFET的VDS将升上来。一旦初级开关开始返回导通状态。同步整流MOSFET的电贴片电感流会迅速减小，其压降跨过VTH阈值而关断，具体见扁平型电感图5。

　　关断速度较临界，为防止初级的交叉导通，并减少开关损耗，此时要一段消隐时间加入，但此阶段要给出非常快的动作速度，随着VDS达到VTH3迅速复位。

　　图6给出二次侧的DCM、CRM和CCM的工作波形。图7给出最大允许的VCC电压和不同负载的最高开关频率关系。

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