英特尔开发3D晶体管对ARM构成的威胁

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　　英特尔已经准备把第一个3D晶体管结构导入大量生产，它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。22纳米处理器，代号为Ivy Bridge。3-D晶体管和2-D平面晶体电感生产管有本质性的区别，它不只可以用在电脑、手机和消费电子产品上，还可以用在汽车、宇宙飞船、家用电器、医疗设备和其它多种产品中。

　　3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度，它能让摩尔定律延续数年。该技术能促进处理器性能大幅提升，并且可以更节能，新技术将用在未来22纳米设备中，包括小的手机到大的云计算服务器都可以使用。根据英特尔的解释，公司重新为芯片设计了电子开关（即晶体管），在过去开关是平面的，现在增加了第三维，它由硅基向上突出。例如，当土地有限，要增加办公室就可以盖摩天大楼。新的3D晶体管道理与此相似。

　　英特尔的科学家和工程师曾经重新发明晶体管，这一次利用了3D电感生产厂家架构。很让人震惊，改变世界的设备将被创造出来，我们将把摩尔定律带入新的领域。 http://www.siyinzg.com/电感生产

　　长久以来，科学家就认识到3电感生产厂家D架构可以延长摩尔定律时限。这次突破可以让英特尔量产3-D Tri-Gate晶体管，从而进入到摩尔定律的下一领域。

　　采用3D晶体管的英特尔芯片可能会给ARM构成威胁，毕竟ARM是现任移动市场的老大。

　　受新技术发布消息刺激，之前ARM的股价大跌7.3%，在伦敦收于5.58英磅。

　　Matrix分析师阿德里安（Adrien Bommelaer）认为，英特尔是否能迅速闯进ARM的后院，这还没有定论。他说：&ldqu绕行电感o;英特尔显然想跳出核心PC市场的范围。关键问题是‘它们能推出一款处理器，足够强大，可以在移动计算领域一争高下吗？’”“它们将推出新的芯片，比上一代32纳米芯片节能50%，朝正确方向前进了一大步，但是否足够？我不知道。要知道ARM自己的能效也在进步。”

　　据英特尔说22纳米的芯片性能比现在的32纳米芯片更高。为了扩大制程技术的优势，赶上移动竞赛，上个月英特尔将2011年资本开支提高到102亿美元，原定数额为90亿美元，目的是落实12纳米制程的开发。

　　在制程工艺上，英特尔大大领先于其它芯片商，它可以制造更快更高效的处理器。

　　自19世纪60年代以来，英特尔和其它半导体企业投入数十亿美元搞研发，每两年让芯片上的晶体管数量翻倍，从而方便产品进入到更小更快的小电子产品中。随着时间的推进，开发和使用先进制程技术成本过高，许多企业无法负担。但分析师说，英特尔资金雄厚，能持续推进制程发展。

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