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电路设计宝典:浅谈555电路设计

来源:    作者:    发布时间:2016-06-17 06:05:42    浏览量:

555原理图

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WS-101D无桥式整流电路WS-101D无桥式整流电路如图2所示,当S2为弱档时,由VD1半波整流,频谱极加上半波脉动直流电压。当S2为强档时,可控硅导通,RL频谱发生器上所加电压为交流220V。该频谱发生器为两支直流电阻为3

IGBT的分类及主要参数IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。 与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。   分类及其含义说明  1、低功率IGBT  IGBT应用范围一般都在600

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