4.5kV IGBT/二极管芯片组在高压直流输电领域的应用

　　总结

　　新近推出的 4.5KV 沟槽场截止 IGBT 和发射极控制 EC 二极管专为工业应用而设计，采用 IHV-B 封装者尤其适合用于高压直流应用场合。该 IGBT 和二极管具备非常低的通态电压和快速开启 IGBT 开关的行为，尤其适合在超出标准的条件下的高电压大电流环境下使用。同时，FZ1200R45HL3 模块还显示出了优秀的短路性能。此外，过流关断试验也证明了 IGBT 和二极管出色的鲁棒性。新器件的最高设计工作温度为 150℃。这些功能都是通过运用 HDR 技术调整沟槽单元设计以及 6.5kV IGBT 的垂直结构来实现的。

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