面向现代汽车数字仪表盘的MCU,具备卓越图形处理功能

世界十大半导体芯片供应商之一，在诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额的RENESAS公司于近日推出了专用于车载仪表盘的32位RH850/D1x系列系列汽车微控制器（MCU）。该产品针对入门及中端汽车电子系统专门设计，单片MCU整合了仪表控制、图形显示和功能安全性，并降低了系统物料成本，高性能图形显示性能使得其十分适用于数字仪表盘应用。

高性能及扩展性的RH850家族

RH850/D1x是RENESAS公司汽车微控制器家族RH850的成员之一，RH850系列产品能够在提供贴片绕线电感高性能MCU的同时拥有较低的功率损耗。 RH850 芯片族能够为用户提供强大的安全性功能，其嵌入的安全特性足以满足飞速发展的汽车应用。RH850芯片族采用了RENESAS的40nm处理工艺，是业界首个提供了极高性能并极附性价比的产品。该芯片家族提供了一系列CPU内核结构以支持高性能和高可靠性的产品需求，其内核包括单核、多核、Lock-step容错技术或它们的联合技术。

高可靠性、高性能和可扩展性是该芯片家族的主要优势。它的低功耗特性使得车辆更环保。高温下的正常稳定使得该芯片更加适合车内高温环境。多核技术能够给芯片带来更卓越的性能。可扩展性和支持AUTOSAR（汽车开放系统架构，一家致力于制定汽车电子软件标准的联盟）使得其更加适合汽车电子的软件开发。

各位大神，求助，MOS管关断时G极振荡严重。 各位大神：UC2845设计的一款开关电源，mos管开关频率24KHZ，输入电压在DC300V左右能工作，输出为24V。目前存在这么一个情况，在不带负载的情况下，mos管G极不振荡。在带10W左右的负载

原创:开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析来了，就发原创创，希望对大家有用。
开关电源中功率MOSFET损坏模式及分析
结合功率MOSFET管失效分析图片不同的形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并

高精度电子开关电源电路制作中关键元件选用时应注意：反馈变压器B1选用锰锌高导磁量的10 mm 6 mm 5 mm磁环，B1的绕组N1、N3用直径为0．41 mm的漆包线双绕并行穿绕10匝，N2用直径为0．55 mm的漆包线

 1/3    1 2 3 下一页 尾页