采用氮化镓场效应晶体管的包络跟踪电源支持20MHz LTE带宽

图5：包络参考信号和测量所得的LTE包络信号。

总结

氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和IC在开关电源(SMPS)可以实现非常高的开关频率，从而在许多应用中，电感厂家如果带宽、转换速率和效率都是应用所需的关键因素的话，氮化镓场效应晶体管能够帮助工程师在应用中实现重大的性能突破。包络跟踪就是这些应用的其中一种。

由于具有较低的输入和输出电容(CISS and COSS)，以及较低的栅极电荷(QG) [9]，基于氮化镓器件的开关转换器能够以很高的效率工作在数十MHz的开关频率。在诸如多相和多级别的各种拓扑中，采用氮化镓器件设计的开关转换器可以实现高带宽以满足现代诸如4G LTE无线通信标准的需求。

采用基于氮化镓场效应晶体管(EPC8004)四相位软开关降压转换器设计的包络跟踪电源能够精确地跟踪峰均比(PAPR)为7 dB的20 MHz LTE包络信号，其总效率可超过92%，并可提供60 W的平均功率。此外，这种设计的可扩展性能可以支持不同的功率级别，工程师只需选择不同的EPC场效应晶体管设计不同系统以满足不同功率级别的需求。

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

参考资料:

[1] A. Lidow, “WiGaN: eGaN FETs for hard-switching converters at high frequency,” EEWeb: Wireless & RF Magazine, pp. 12–17, August 2014.

[2] Y. Zhang, M. Rodriguez, and D. Maksimovic, “Output filter design in high-efficiency wide-bandwidth multi-phase buck envelope amplifiers,” Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), March 2015, pp. 2026–2032.

[3] D. Reusch and J. Glaser, DC-DC Conversion Handbook: A Supplement to GaN Transistors for Efficient Power Conversion, Efficient Power Publications, 1st Edition, 2015. ISBN 978-0-9966492-0-9.

求助，用ltc3872做一个升压电路，按照基本电路连得


这就是电路图，有一个问题 接上mos管之后NGATE端输出的方波峰值就不是VIN了，没有输出，是什么原因啊，是mos管没有导通吗，求大神啊！


已经被添加到社区经典图库喽

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