采用氮化镓场效应晶体管的包络跟踪电源支持20MHz LTE带宽

宜普电源转换公司张远哲博士及Michael de Rooij博士

张远哲博士

Michael de Rooij 博士

我们在较早前发表的文章中为大家介绍了工作在10 MHz的硬开关降压转换器，并且展示了氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在包络跟踪(ET)电源领域中的潜力[1]。

本篇文章将进一步阐述面向使用第四代移动通信技术(4G)LTE频带的无线通信基站基础设施并采用EPC8004高频氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源。包络跟踪电源是以多相位、采用零电压开关模式(ZVS)的同步降压转换器为基础，它可以支持20 MHz的大信号带宽，并且以30 V电压源提供60 W以上的平均负载功率。当跟踪峰均比(PAPR)为7 dB的20 MHz LTE包络信号，可实现的平均总效率可高达92%。

使用软开关的多相位拓扑

我们选用的http://www.siyinzg.com/一体成型电感 是一个四相位同步降压脉宽调制(PWM)拓扑(见图1)。相邻相位的PWM控制信号被相移了90度。每个相位在25 MHz下开关，使得整个转换器可以实现100 MHz的输出开关频率。我们使用阻性负载来代表射频功率放大器(RFPA)，同时设计了支持零电压开关、20 MHz带宽的四阶滤波器，从而可以高效地工作和相位电流可自动平衡[2]。印刷电路板(PCB)的布局是根据[3]的设计而得以优化[3]。

求助，用ltc3872做一个升压电路，按照基本电路连得


这就是电路图，有一个问题 接上mos管之后NGATE端输出的方波峰值就不是VIN了，没有输出，是什么原因啊，是mos管没有导通吗，求大神啊！


已经被添加到社区经典图库喽

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