无源元件并非真的“无源”：第1部分——电容
来源： 作者： 发布时间：2016-04-06 06:39:40 浏览量：较小的电池SB1至SB4表示塞贝克（Seebeck）结3，是由不同金属（寄生热电偶）在此形成的电压源。当我们连接测试设备时，需要考虑共用连接器的塞贝克效应。Jim Williams在参考文献4中指出，BNC和橡胶插头连接器对的热电势范围为0.07µV/°C至1.7µV/°C （附录J，图J5）。这一变化只适合我们日常在实验室内部的简单连接。将看起来较小的失调增益乘以1000，就达到1.7mV——这是我们尚未实际开始操作就存在的。
SB2和SB3可能是电容内部连接引线的箔，或连接至焊盘或表贴元件焊料的金属化物。SB1和SB4表示器件通过焊料到PCB铜线的结。以往的焊料是63%的铅和37%的锡，但现在使用的符合RoHS标准的无铅焊料成分变化很大，会影响电容附近的电压，所以必须查询合金成分。
可对介质吸收（DA）或Bob Pease所称的“渗透”进行建模，等效为无数个RC时间常数：DA1至DAINFINITY，其中每个时间常数由电阻RDA和电容CDA组成。Bob Pease列举了一些“渗透”非常重要的实例，本文附录中介绍了一段关于吸收的有趣经历。
“如果您关闭彩色电视机，然后打开后盖，那么在您开始操作之前首先必须要做的是什么？在螺丝刀上连接一条地线，然后接触高压插头上的橡胶垫圈下方，对CRT放电。那好，现在电容已经放电了，如果让这一过程持续大约10分钟，那么有多少电压将“渗透”回显像管的“电容”？当您第二次放电时，足以造成可见的电弧这就是我所说的介质吸收5。”
由此可见，电容会随着作用电压的改变而改变。然后再加上老化、温度的影响，以及其它可能造成电容器物理损坏的众多因素6，这种简单的无源元件就变得非常复杂。
现在，我们应该讨论一下与自激有关的因素，这是去耦电容以及接地不良的电容最常见的问题。如果接地不良，任何电容都不能正常工作。电容自激主要受图1所示ESL的影响，当然，PCB过孔也会产生一定的影响。工作在射频频段时，这些过孔将影响小电容的自激点。以图2为例，讨论了1µF电容的曲线。
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