RSAL1580-1R3M 1.3uh

瑞申型号	感值±20% (µH)	直流阻抗(mΩ)		自协频率MHZ	温升电流（A）		饱和电流(A)
		标准	最大		上升20°	上升40°
RSAL1580-R40M	0.4uh	0.5	0.7	53.0	47.0	60.0	111.0
RSAL1580-R74M	0.74uh	0.72	0.86	35.1	43.2	59.7	86.0
RSAL1580-1R0M	1uh	0.93	1.12	30.0	40.6	57.5	73.5
RSAL1580-1R3M	1.3uh	1.15	1.38	26.2	34.6	46.7	65.0
RSAL1580-1R8M	1.8uh	1.61	1.93	21.3	33.2	43.8	57.0
RSAL1580-2R0M	2uh	1.91	2.29	20.1	29.5	39.9	51.0
RSAL1580-3R0M	3uh	2.62	3.10	16.0	25.6	34.4	43.0
RSAL1580-4R5M	4.5uh	3.82	4.58	12.5	20.4	27.0	34.2
RSAL1580-5R3M	5.3uh	4.35	5.22	11.8	19.5	26.5	33.0
RSAL1580-6R1M	6.1uh	5.66	6.79	11.7	16.9	22.6	31.0

未利用晶体频率的射频发生器处于自由运行状态。其频率大小取决于电路组件组合大小。目前有多种不同类型自由发生器，如Armstrong，Hartley，Colpitts及调整阳极型调整栅极(tuned-anode-tunedgate)振荡器。Colpitts振荡器典型图示见图2.4。

由于振荡器绝对频率取决于负载线圈及等离子耦合阻抗大小，等离子性质发生变化，频率随之改变，使电路耦合及调谐比晶控系统更困难。等离子解谐耦合电路时，频率发生轻微变化以补偿解谐效应。 自由运行振荡发生器的优点在于形成等离子方便，使可能的操作所需参数调节及可移动部件最少。