RSAL1580-1R0M

专注于高频、高效、大电流、大功率电感定制。

瑞申型号	感值±20% (µH)	直流阻抗(mΩ)		自协频率MHZ	温升电流（A）		饱和电流(A)
		标准	最大		上升20°	上升40°
RSAL1580-R40M	0.4uh	0.5	0.7	53.0	47.0	60.0	111.0
RSAL1580-R74M	0.74uh	0.72	0.86	35.1	43.2	59.7	86.0
RSAL1580-1R0M	1uh	0.93	1.12	30.0	40.6	57.5	73.5
RSAL1580-1R3M	1.3uh	1.15	1.38	26.2	34.6	46.7	65.0
RSAL1580-1R8M	1.8uh	1.61	1.93	21.3	33.2	43.8	57.0
RSAL1580-2R0M	2uh	1.91	2.29	20.1	29.5	39.9	51.0
RSAL1580-3R0M	3uh	2.62	3.10	16.0	25.6	34.4	43.0
RSAL1580-4R5M	4.5uh	3.82	4.58	12.5	20.4	27.0	34.2
RSAL1580-5R3M	5.3uh	4.35	5.22	11.8	19.5	26.5	33.0
RSAL1580-6R1M	6.1uh	5.66	6.79	11.7	16.9	22.6	31.0

通常采用两种基本电路，产生ICP所需的RF能量：①固定频率晶控振荡器；②自由可变频率振荡器。两种电路均可用来形成等离子进行电离。射频发生器，用于形成ICP，是由有限组件构成的简单电路，产生一定频率的交变电流。这些发生器的输出功率必须达到2kW，以有效维持氩气等离子气压。

晶控振荡器的基频受反馈电路中压电晶体控制(见图2.2)。ICP中晶控振荡器典型工作频率为13.56MHz；电源电路包含一个倍频器， 用于提供等离子典型工作频率：27.12MHz。虽然也可使用其他频率，ICP系统中晶控频率应用最多的是27.12MHz。频率大于27.12MHz时，射频发生器与等离子之间的耦合效率更高，使等离子更稳健。

其中热放大管用于形成高功率输出，使等离子在常压下工作。晶控型系统中阻抗匹配网络通常包含一个伺服模式下运行的可变电容，以维持系统调谐并将RF反射功率降至最低，延长功率管的使用寿命。如图2.3所示为此类阻抗匹配电路方框图。