基于SST25VF020的数据存储系统设计

前言

近年来，闪速存储器已应用在数以千计的产品中，特别是移动通信、MP3音乐播放器、手持PC管理器、数码相机、网络路由器、舱内录音机等工业产品。闪速存储器由于具有非易失性和电可编程擦除性，从而具有半导体存储器的读取速度快、存储容量大等优点，同时又克服了DRAM及SRAM断电丢失所存数据的缺陷。与EPROM相比较，闪速存储器的优势在于系统电可擦除和可重复编程，且不需要特殊的高电压，此外，它还有成本低，密度大的特点。

闪速存储器由于各自技术架构的不同，又可分为NOR技术、NAND技术、AND技术和由EEPROM派生的闪速存储器。以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory，如SST的小扇区结构闪速存储器具有EEPROM与NOR技术Flash Memory二者折中的性能特点：(1)读写的灵活性逊于EEPROM，但与NOR技术Flash Memory的块结构相比，其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。(2)与EEPROM比较，具有明显的成本优势。

SST25VF系列产品，是业界第一个完整的串行闪存产品系列，其记忆容量包含512Kbit至16Mbit，且采用产业标准的8接脚SOIC封装及超薄型WSON封装技术。此外，SST最新串行闪存提供最新自动地址增值(AAI)资料写入模式，与单一字节资料写入模式相比，该资料写入模式能够将整个闪存的资料写入时间减少50%。SST25VF系列是以高效能超快闪技术为基础，加上四线及串行外围界面(SPI)，相对平行EEPROM等非挥发性内存解决方案而言，SST的串行式闪存产品使用较少的接脚，将资料往返于系统CPU，因此可减少电路板空间、耗能及成本。

芯片介绍

芯片引脚介绍

SST25VF020是SST25VF系列产品中的一员，其芯片具有以下特点：总容量为2M;单电源读和写操作，工作电压为2.7-3.3V;低功耗，工作电流为7mA，等待电流为3μA;时钟频率高达33MHz，快速编程、快速擦除、快速读取;小型一致闪区尺寸4KB;数据保存100年;CMOS I/O兼容等。

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