嵌入式设计经验分享：存储器以及BootLoader的一些总结

在大学的时候很少关心单片机内部存储器的结构及应用，只是大概的知道RAM和ROM的区别，甚至只是知道程序下载到ROM中就能运行了。其他的如何工作程序如何启动的就不了了知了。因此在接触嵌入式的时候就会出现很多盲区。在此本人将工作三个多月以来接触到的一些关于嵌入式新的理解分享给大家，有什么错误的地方在所难免，希望大家给予指正。

RAM和ROM在单片机中的相关应用

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。所谓内存就是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种 EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

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PFC电感设计 谁能帮我设计一个CCM电感，麻烦把计算电感感量的具体结果与过程写下来，谢谢！


Vin:85v~264v; Pout=240W;Iout=12A；效率=0.83；


当然：Vbulk、频率、大家可之行设定，要求工作在C

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