反激变压器磁饱和 增加初级线圈匝数的问题

最近看到一篇技术牛人写的帖子，讲反激变压器设计的，其中提到如果设计的变压器有磁饱和现象出现，可以通过增加初级线圈匝数来解决，可是之前看到的磁芯磁感应强度的公式是B=L*I/N*Ae，我的疑惑就是公式分子中的感量L不是与匝数的平方成正比的么，分母中也有一个N，约去一个N，分子中还是有一个N，这样一来增加圈数不是会增大实际的磁感应强度么，怎么还能避免磁饱和呢？？查了好多资料和帖子也没有一个清楚的答案的，望各位高手解决我心中许久的疑惑啊！！！

如果只是增加匝数，其他什么都不变，那么电感量会增加很多，

但是一般增加匝数的同时会增加气息，保持感量不变，那么B自然就变小了。

噢，原来是这样啊，多谢解答！ 不客气！ 首长，再请教一个问题，从电源板上面拆下变压器，再用烘枪拆下磁芯，去掉绕线，这时候的骨架和磁芯还可以使用吗？

理论上只有磁芯和骨架没有损坏，还是可以用的，建议还是用新的。

噢，我就是自己在实验室做实验用用的，不是做产品卖，应该没问题吧，呵呵 对，实验室用是没有问题的！

学习了！

我想请教下；那这个公式中的I是用峰值电流来算。还是有效值或是平均值呢？ I用峰值，B就用峰值，对应的！ 我算变压器的时候只涉及到BMAX小于0.3.不理解B的峰值

就是BMAX

哦！那如果用峰值电流算的话。我有一个12W我昨天测试了一下，B值有0.65这还是高压测的。按道理早就该炸机了

把你具体的计算贴出来看看。

NP 147 NS 55 LP:1650 峰值电流1.2A EE19 AE值23

公式B=L*I/N*Ae，N改变的话，L，I都随之改变了，所以你上上述的推论是错误的。

事实上，单从公式推导上来讲，由于L*I（安匝/磁动势）=Vin*ton（伏秒积）。假设ton不变，带入原公式B=Vin*ton/N*Ae，可以看出N越大，B就越小。

上述不是推论，我也知道N变。L IPK也跟随着变。我上述的是实测值。所以我现在怀疑如果B MAX取0.3 那么IPK是不是不是峰值。或是有效值呢？ 冒昧的再问一句。B=L*I/N*Ae 这个N是匝数比还是初级圈数？另外I是峰值，还是其它 也就说N增大了，但是AL变小了很多，因为匝数增加，需要保证同样的电感量，气隙增加了，单匝电感量AL的变化比匝数的变化要大。

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