便携式设备中的电源效率

　　带隙内核说明

　　所选用的带隙内核（图 5）采用在标准 CMOS 技术中广泛使用的经典结构。

　　图 5.所推荐带隙电压参考内核的简化方框图

　　通过添加双极性晶体管的负温度系数基射极间电压，可获得带隙电压的低温系数，从而可通过在不同电流密度下偏置的两个基射极间电压之差获得正温度系数电压。为电阻器 R2 和 R3 选择相等的值，参考电压就可表示为公式5：

　　其中VEB 是Q1的基射极间电压，VT是热电压，IQ1和IQ2是通过晶体管Q1和Q2的电流，而IS，Q1 和IS，Q2则分别是Q1和Q2的饱和电流。
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