便携式设备中的电源效率
来源： 作者： 发布时间：2016-09-05 06:17:22 浏览量：这些结构与超低静态电源电流相矛盾。为了缓解这一矛盾，您可为LDO使用与参考源相同的带隙。不宜采用标准LDO结构的原因在于它需要输出电容器来实现稳定工作。最佳选项是带一个增益级的结构，其无需输出电容器便可实现稳定。
低压降稳压器
图1是该设计［1］中所使用LDO的内核及其简化原理图。图1［2］ 中的M0和M4代表翻转电压跟随器（FVF），其可实施无逆向功能及相关极点的单级稳压。静态电流由晶体管 M1 和 M3确定。晶体管M2可作为共栅放大器。
LDO 的开环增益由第一个级联级（即晶体管M 2和M3）决定。可作为负载的M4 PMOS跟随器存在低阻抗源，因此FET M0的输出增益接近1。在图2中的小型信号等效电路的帮助下，对所推荐的LDO结构进行稳定性分析，结果显示只有一个极点（公式1）：
可作为补偿电容器的M0栅源电容器可创建LDO的主极点。因此无需去耦片外电容器，便可使LDO［3］稳定。
图 1.具有翻转电压跟随器、无输出电容器的 LDO
图 2.LDO 的小型信号等效电路
这种LDO的另一项优势是简单的自启动程序，其无需专用电路。最初，在电压VDD为0时，VOUT 也为0，跟随器M4在无反馈的情况下关闭，M1的偏置电流大于M3的偏置电流。因此，栅极电压M0不仅可降低，而且还可驱动输出电压VOUT至所选的输出电压值。
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