为升压转换器提供关断功能的外接元件

         图1是升压开关转换器电路，它有一个众所周知的问题：如果将升压转换器IC1的输入拉低来关断升压转换器，外接电感L1和正向偏置肖特基二极管D1就可以让负载继续引出电流。

对于电池供电的设备来说，这是一个沉重的负载（300 mA）。

这种无用的直流电流路径可能会很快耗尽电池电量。

增加一个N沟道MOSFET Q1和一个100 k电阻器R1就可以在断电时断开无用的电流路径，从而解决这个问题。

这样的电路适宜由微控制器处理电源管理问题的电池供电系统应用。

　　在输入端施加一个逻辑低电平可同时关断开关转换器MAX756，并关断MOSFET，因此通过去除负载的对地连接而阻断负载电流。

当信号被去掉以后，100 kΩ的上拉电阻器将MOSFET栅极电位拉高，使MOSFET导通。

随着接地的重新连接，负载又可以从工作的升压转换电路中获得电流。

　　为了在大负载电流下获得最佳结果， 要为Q1选择有适当低的导通电阻的逻辑低电平MOSFET。

MOSFET的漏源击穿电压也应能承受至少两倍的来自升压转换器的最大输出电压。

必要时，可以将两支以上MOSFET并联，以降低MOSFET的有效导通电阻。

 

芯片厂商不成熟方案害死人啊


某芯片厂商推出宽压升降压架构的非隔离驱动芯片，标称可以输出155V，28mA，代理商更是给出了155V ，36mA的方案：





可是我经过烦琐的调试之后，最终只能得到155V，28mA的输

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