配置抗扰器件——去耦电容
来源: 作者: 发布时间:2014-10-26 15:52:46 浏览量:配置抗扰器件——去耦电容 在印制电路板的抗干扰设计中,经常要根据干扰源的不同特点,选用相应的抗扰器件:用二极管和压敏电阻等吸收浪涌电压;用隔离变压器等隔离电源噪声;用线路滤波器等滤除一定频段的干扰信号;
用电阻器、电容器、电感器等元件的组合对干扰电压或电流进行旁路、吸收、隔离、滤除、去耦等处理。其中为防止电磁干扰通过电源及配线传播,而在印制电路板的各个关键部位配置适当的滤波去耦(退耦)电容已成为印制电路板设计的常规做法之一。 去耦电容通常在电原理图中并不反映出来。要根据集成电路芯片的速度和电路的工作频率选择电容量(可按C=1/f,即10MHz取0.1uF),速度越快、频率越高,则电容量越小且需使用高频电容。 去耦电容的一般配置原则是:
(1)电源输入端跨接一个10--100uF的电解电容器(如果印制电路板的位置允许,采用100uF以上的电解电容器效果会更好),或者跨接一个大于10µF的电解电容和一个0.1µF的陶瓷电容并联。当电源线在板内走线长度大于100mm时应再加一组。该处的去藕 电容一般可选用钽电解电容。
(2)原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.1µF—680pF 之间的瓷片电容,这种方法对于多片数字电路芯片更不可少。如 遇印制电路板空隙不够, 可每4--8个芯片布置一个1--10pF的钽电 解电容器。要注意地是,去藕电容必须要加在靠近芯片的电源端 (Vcc)和地线(GND)之间(如图20所示),这一要求同样适用 于那些抗噪声能力弱、 关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等 存储型器件。
(3)去藕电容的引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能有引线。
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